存储器东芝硬盘MRAM可以让NAND及硬盘得到更充分运行_我的网站

存储器东芝硬盘MRAM可以让NAND及硬盘得到更充分运行

点击:
金城零件苏州金城微:专业分销商的未来定位NXT常报警XY RODOY 错误代码88D01B13高通CEO雅各布子承父业 力推低功耗手机芯片厂商产业不景气LED产业:扩产虽急缩但呈健康发展芯片年前机器人细数未来十大科技:能上网的隐形眼镜[图文]地球屏幕气象卫星震撼!日本万块屏幕打造OLED立体地球调制解调器套件窄带TI推出最新开发套件可降低进入电力线通信市场的门槛卡尔阅读器汉王汉王下一代电子阅读器选择飞思卡尔i.MX51应用处理器智能手机品牌智能中国智能手机今年发展前景更明朗

MRAM可以让NAND及硬盘得到更充分运行

东芝首席常务执行董事、半导体与存储器公司社长小林清志在近期的发布会上详细介绍了东芝正与韩国海力士半导体共同开发的MRAM(STT-MRAM)技术。

现在的存储器系统具有SRAM-DRAM-NAND-HDD的多层构造。对此,东芝考虑今后将面向服务器及存储系统,提出在DRAM与NAND之间采用MRAM的新存储器系统方案。将通过高速MRAM,改善NAND闪存及硬盘访问性能较低的缺点。“对于系统厂商而言,NAND及硬盘使用起来将会更方便”。

MRAM的擦写次数“可达到1015次”。从这一数值来看,似乎可将MRAM用作工作存储器,但因“MRAM的构造是电流通过通道绝缘膜,所以肯定会产生缺陷,所以无望实现无限制擦写”。因此,东芝目前并不打算以MRAM完全取代工作存储器,而是考虑将其用作为方便使用NAND及硬盘等现有存储器的缓存。只是,因该公司估计MRAM的存储单元面积可缩小至与DRAM相当的水平,所以“并未放弃以MRAM取代工作存储器的雄心。

另外,东芝还预测称,制造MRAM所需要的装置与现有装置基本相同。“比如,ALD等装置本身不会有什么变化,但成膜的原料将改为磁性体等”。作为制造技术方面的课题,该公司列举了蚀刻难度。“与普通RIE相比,需要更高能量的偏压蚀刻技术”。因此,需要更改蚀刻装置的电源系统等。

小林还就韩国三星电子收购美国STT-MRAMIP风险企业Grandis一事从容地表示,“如果三星电子正式涉足MRAM业务,(市场会因多家企业供应产品而被激活)我们表示欢迎”。“我们一直是在没有与Grandis公司有任何关系的情况下推进开发的。迄今为止已有了10多年的开发经历,加上之前的硬盘开发时间,经验已超过20年”


业务部公司产品Jeff Richardson 荣任 LSI 首席运营官战略性新兴产业新能源北京战略性新兴产业获400亿财政资金扶持底板装置面板新型粘合工艺解决触摸面板的气泡问题阿布扎比芯片哈利阿联酋拟注资100亿美元建芯片厂 挑战英特尔电机蓝色名称三洋电机将量产“蓝色冲击”激光器影像状态方式TMD开发出采用OCB方式的3D眼镜用液晶面板半导体电子产品售价研调:去年半导体占电子产品售价25.4%创新高三星元件厚度三星移动显示器公开可弯曲的OLED面板电视导光板快门2011年LED背光与3D各占电视多大比重?

0.41713500022888 s