内存挥发性芯片Impinj非挥发性内存可用于无线标签_我的网站

内存挥发性芯片Impinj非挥发性内存可用于无线标签

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(华强电子世界网讯)美国Impinj日前发表了能够利用CMOS技术嵌入到LSI中的非挥发性内存“AEON”。由于像嵌入式EEPROM一样不需追加掩膜,因此能以较低的成本嵌入到LSI中。将作为硬件内核的IP(知识产权)提供授权。内存容量为64bit~16kbit,可擦写次数为10万次。数据保持时间约为10年。将主要面向无线标签LSI的ID和模拟电路的纠错位的保存用途。目前已经应用于日本厂商生产的无线标签LSI中,将于2004年6月量产。

日本厂商采用AEON内存生产的无线标签LSI芯片.
只放大了内存部分,
整枚芯片有4倍那么大
  作为能利用CMOS技术嵌入到LSI中的非挥发性内存,除该产品以外还有美国Virage Logic开发的“NOVEA”。据Impinj称,“Virage Logic的产品可擦写次数少,只有1000次,而此次发表的产品,其特点在于可擦写次数高达10万次”。通过在记录位信息的浮动栅(Floating Gate)中采用p型FET,实现了10万次的可擦写次数。结构采用的是横向排列2个p型FET的形式,多晶硅为1层。

  目前,该公司正在提供利用台积电(TSMC)的0.35μm工艺CMOS技术生产的测试芯片样品。容量为96bit。每bit的耗电量和电压方面,读出时分别为2.5μA和+1.6V~3.6V,写入时分别11μA和+3.0V~+3.6V。读出时间为4μs,写入时间为1ms。另外,按计划2003年第4季度将能够利用0.35μm或0.25μm工艺,2004年第3季度将能够利用0.18μm和0.13μm工艺进行生产。(编辑 Belle)
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