电流产生器器件敦南半导体推出以T1封装的0.9A双向高压触发二极管_我的网站

电流产生器器件敦南半导体推出以T1封装的0.9A双向高压触发二极管

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作者:未知 来源:国际电子商情 点击数:9 更新时间:2008-6-17



敦南半导体推出以T1封装的0.9A双向高压触发二极管系列。T1的封装相较于AX06封装,体积约小了63%,能够节省电路板的空间,符合消费性电子产品越来越小型化的趋势。
  这一系列的SIDAC在常温不被触发的工作模式下,不导通时的漏电(IDRM/IRRM)小于5μA。其操作原理为当应用电路的电压超过器件的转态电压(VBO)时,瞬间产生雪崩效应,该雪崩电流一旦超过开启电流(IS),器件阻抗骤然变小,进入导通状态,直到电流关断或电流低于器件本身的最低维持电流(IH)后,器件便恢复至高阻关断状态。例如:SD09A105D的VBO介于95V~110V,当加在此SIDAC两端的电压超过此区间的VBO,SD09A105D即被导通。导通后的均方根(RMS)承载电流(ITRM)为0.9A,导通时的压降(VTM)为1.5V。
  SD09A_D的应用在高压钠灯、电子闪光灯、闪光标志、高压调节器、脉冲产生器、负离子产生器、点火器等领域上。这一系列的SIDAC完全符合无铅环保包装,并皆通过UL安全标准的认可。



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