英特尔三星技术英特尔推22nm产品移动处理器仍缺席_我的网站

英特尔三星技术英特尔推22nm产品移动处理器仍缺席

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英特尔(Intel)稍早前推出了基于人们期待已久,称之为三闸(tri-gate)的3D电晶体所设计的22nm制程。三闸极电晶体首次披露是在2002年,而今,它将成为英特尔22nm节点的基础。另外,英特尔还展示了全球首个22nm的微处理器(代号IvyBridge)。

IvyBridge以该公司Core系列处理器为基础,它将是首批采用三闸电晶体量产的晶片。IvyBridge预备今年底可进入量产。

然而,英特尔仍未宣布22nm的行动处理器──用于抵御来自ARM阵营的竞争威胁。

英特尔的22nm制程也将基于英特尔的第三代high-k/金属闸方法。它也将使用铜互连、应变矽和其它特性。同时,就像32nm制程,英特尔也将采用193nm浸入式微影技术。

英特尔并未透露更多有关low-k互连技术的细节。但英特尔坚称并未使用绝缘矽(SOI)技术。据英特尔表示,SOI晶圆将增加10%左右的总制程成本。

三闸电晶体象徵着IC产业的一次重大转变。数十年来,这个产业一直使用传统‘平坦’的2D平面闸极。而英特尔寻求以更薄而且能在矽基板上垂直升起的3D矽鳍薄片来取代平面闸极。。

其他领先的晶片制造商也都在寻找在多闸极电晶体架构,包括IBM的fabclub、台积电(TSMC)等。在英特尔之外,这种三闸极电晶体技术被称作FinFET。台湾的台积电计划在14nm节点推出其最初的FinFET。

至少未来三年,英特尔将在多闸极电晶体竞赛中领先,英特资深院士暨处理器架构及整合制程总监MarkBohr说。Bohr表示,三闸极技术可以扩展到14nm节点,但他在谈及22nm的下一个节点时突然停顿了一下。

这家晶片巨擘称其技术为‘完全耗尽型三闸极电晶体’。三闸极电晶体在一个垂直鳍架构的三个面上形成导通通道,以提供‘完全耗尽型’的操作。

“电流的控制是透过在矽鳍的三个面上各自建置一个闸极来完成,其中2个闸极各自放在一个面上,另一个则穿越顶端──而非像2D平面电晶体仅放置一个闸极在顶端,”英特尔表示。“更多的控制能让电晶体在切换至‘开启’状态(以提高效能)时能流入更多的电流,而在‘关闭’状态(达到最低的耗电)时让电流尽可能接近于零,并且让电晶体能快速在两种状态之间切换(以达到更好的效能)。”

该公司称,与英特尔的32nm平面电晶体相较,22nm的三闸极电晶体在低电压下提供了37%性能强化。这意味着该技术更适合必须降低开关功耗的小型手持装置。此外,新技术也能以不到一半的功耗,达到与采用2D平面电晶体之32nm制程相同的效能。

要实现22nm制程,英特尔必须进行更多的‘双重图形’(doublepatterning)步骤,Bohr说。但整体而言,该公司将在22nm技术中使用标准晶圆厂工具,而制程成本仅增加2~3%。

22nm制程又称1270,它已进入生产。

首先会在奥勒冈州的D10晶圆厂生产,而后亚利桑那州的F32厂将在今年下半年量产。

去年,半导体观察家们对英特尔同意为可编程逻辑新创业者AchronixSemiconductor代工的消息感到震惊;而根据一份报告,英特尔显然与另一家可编程逻辑业者TabulaInc.,达成了同样的代工协议。但英特尔拒绝评论有关Tabula的报导,一位发言人则称此为谣言。

稍早前,PiperJaffray的分析师表示,他们认为英特尔将争夺苹果公司的代工业务。

分析师对英特尔22nm三闸极技术有着不同见解。“其性能令人印象深刻,”Gleacher&Co.分析师DougFreedman说。

“与平面型技术相比,这只会增加约2%~3%的最终晶圆成本──这部份是用于制造矽‘鳍’以建构3D电晶体通道和闸极,从而提供比平面型技术更好的微缩因子──这可能足以抵销额外成本并获得晶片微缩的优势,”他说。“三闸极可调节以降低漏电流(完全耗尽型电晶体)或是实现更低的阈值。结果是能在更低功耗/低电压操作下获得更佳效能。”

英特尔22nm产品首个瞄准的应用是桌上型电脑/伺服器,但Freedman认为,这家晶片巨擘应该先着眼于另一个部分。“为什么不先攻行动市场?”他质疑。

行动处理器仍缺席22nm盛宴?

“事实上,这是x86产品首次使用3D电晶体闸极技术,这将有助于弥补x86架构在最佳化低功耗方面迎战ARM时所面临的挑战。我们并不认为游戏规则会就此改变,但看来x86与ARM的战争仍持续升温,”Freedman说。

“英特尔还未将其最好的一部份应用在超行动和平板市场,因为其新产品将针对伺服器和笔电/桌上型电脑等产品,”他说。“结果是至少在2012年底前手机和平板市场看来都不大可能导入新技术。手机市场需要9个月的时间才能完成一款手机从设计到问世的认证及上市周期。我们不相信英特尔在2012年初以前能向OEM厂商们提供基于22nm制程的手机晶片。”

“原先推测英特尔在过去几天可能会推出一些新的行动处理器,这些产品可能会立即对ARM的业务和/或Nvidia的Tegra造成影响。不过,我们没有看到这些消息发布,特别是英特尔的行动/平板/智慧手机业务负责人在几星期前闪电请辞,”RaymondJames&AssociatesInc.分析师HansMosesmann在一份报告中指出。

这并不奇怪,英特尔正在全速朝行动领域前进。该公司最近发布了代号为OakTrail的45nm制程行动处理器。据英特尔的新任笔电及平板事业部副总裁StephenSmith表示,不久后OEM将推出采用该处理器的产品。

继OakTrail之后,英特尔正在准备两款基于32nm的行动处理器,包括Medfield和CloverTrail在内。Smith对EETimes透露,Medfield是针对智慧手机。CloverTrail则将把英特尔推入更广泛的行动领域,他表示。不过,他并未透露任何基于22nm的产品。

无论如何,“该公司相信三闸极电晶体将能让摩尔定律(Moore’sLaw)从英特尔的22nm制程再往下延续。这就意味着需要更低功耗、更低的每电晶体成本,以及更高的性能,”Mosesmann说。

“与英特尔大约4年前发布45nm节点后闸极(gatelast)high-k金属闸极电晶体时相同,毫无疑问,英特尔仍在制程技术方面领先半导体产业,”他表示。“英特尔并不是唯一一家真正采用或考虑3D电晶体的业者,事实上,GlobalFoundries认同该技术;意法半导体(STMicroelectronics)──并不认为这是理想的低功率方案;而三星(Samsung)──正在评估3D和平面两种方法。我们相信,英特尔可能会领先竞争对手2年左右。”


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