器件电流栅极Vishay 推出30V 单片功率MOSFET和肖特基二极管_我的网站

器件电流栅极Vishay 推出30V 单片功率MOSFET和肖特基二极管

点击:
中国美方美国中美知识产权保护谈判今日开始 中方胜算更大功率放大器电子效率ANADIGICS第四代LTE 功放助推LG智能手机中国惠普微软中国信息产业十年风云人物芯片长假价格内存芯片价格或迎来短期上涨处理器个人电脑系统AMD将于9月供应64位Athlon 64TD-SCDMA基频业者3G芯片拓展产品线 大陆厂商向世界看齐求助有关CP643E贴装1005部品偏位的对策单片机外设部件Microchip推出极具成本效益的8位PIC MCU中国企业客户QAD中国区总经理缪青:QAD的纵横中国之道
Vishay推出采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管 --- SkyFET SiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK?封装,可提升高电流、高频运用的效率。

新型SiE726DF在10V栅极驱动时,具有极低的导通电阻,最大为0.0024?(在4.5V驱动时,最大为0.0033?);且在无散热片的情况下,能够处理的电流水平比具有相同占位大小的SO-8高50%,并为服务器和通信系统中的高电流直流 --- 直流转换器的同步整流低端控制开关、VRM运用、显卡和负载点等应用进行了优化。该器件的典型栅极电荷为50nC,具有很低的Qgd/Qgs比率,能够提供良好的击穿保护。

集成了MOSFET和肖特基二极管的SiE726DF具有的Qrr为30nC,VSD 为0.37V,两者均比标准MOSFET低50%以上;且因为寄生器件减少和MOSFET体二极管相关的功率损耗降低,效率也得到了提高。而且随着开关频率的升高,器件的功率损耗则会越来越显著的减少。此外,取消外接肖特基二极管不仅可在降低成本的同时,更令设计人员创造出更小、更简洁的电路设计。

Vishay 的 PolarPAK封装提供的双面冷却功能在高电流运用领域表现出理想的散热性能,这使器件能够在更低结温下运作 --- 顶部热阻为1°C/W,底盘热阻为1°C/W。这种封装除简化生产外,基于引线框架的密封设计因芯片密封,同样提供了保护和可靠性。无论芯片大小,该器件提供相同的布局布线,简化PCB设计,且100%通过Rg 和 UIS 测试。

目前,可提供SiE726DF的样品与量产批量,大宗订单的的供货周期为 10 至14 周。

详情见:http://www.vishay.com。


中国市场灯泡电子下午茶:中国IC设计业突破瓶颈背光源面板节能友达:年底笔电面板100%采用LED背光源三星京东方世代外资前后夹击 本土液晶厂商再现生死时速方案格式时代时代飞腾推出最小随身蓝光高清播放器解决方案电容电阻最小Chien Wei推出额定电压为630Vdc的PPF电容电源组件集成度TI推出适用大屏幕液晶显示器和液晶电视的电源供应芯片路灯产业东莞珠三角地区将打造新的LED产业龙头三星彩电企业胡春民:彩电业需要冷思考电压电源两个TI推出集成比较器与电压基准的完整电流采样监控器

0.35446715354919 s