芯片闪存记忆体海力士300mm晶圆厂清州投产NAND芯片_我的网站

芯片闪存记忆体海力士300mm晶圆厂清州投产NAND芯片

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全球第二大电脑记忆体晶片制造商Hynix(海力士)表示,其在韩国新建成的NAND快闪记忆体制造工厂正式投产,该工厂将采用12英寸晶圆生产芯片,能够以具有竞争力的成本切割更多芯片。

  Hynix表示,该新厂是其位于忠清道(Chungcheong)清州市(Cheongju)的第三家晶圆厂,命名为“M11”,于2007年4月开始动工,总面积达294,637 平方米,建筑面积占地108,697 平方米。M11靠近Hynix目前正在运营中的另外两个芯片制造厂,新工厂将会很好的利用现有的人力资源和架构。 Hynix董事长兼CEO Kim Jong-gap表示,公司计划加强产品在价格方面的竞争力,并在接下来的研发道路中保持高水准的投资。

  已小规模生产NAND闪存的M11生产线计划从9月起开始生产40,000片12英寸晶圆,以后月产能将升至100,000片以上。Hynix表示,M11将专门制造最先进的高密度NAND闪存产品,包括采用40nm工艺技术的16Gb、32Gb闪存芯片。M11的产能将根据实际市场需求做出灵活的调整。第三个晶圆厂的完工,将使得Hynix在总的300mm晶圆的产能上获得约达到200,000片/月的提升。

  Hynix半导体在一份声明中称,“生产过时的200毫米晶圆的利润率正在迅速下降。因此,我们将逐步转让出相应设备,并同时扩大300毫米晶圆产能。”

  “在M11完工投产后,Hynix计划将清州打造成全球最大的NAND闪存制造基地。尽管目前半导体行业景气恢复进展缓慢,但我们仍继续确保我们的市场竞争力和成长力度,以维持在NAND市场的技术领导地位和策略主动性。”Jong-kap Kim表示。

  Hynix半导体是按收入计全球第三大NAND芯片制造商,位列三星电子公司(SamsungElectronicsCo.)和东芝公司(Toshiba Corp.)之后。NAND芯片占Hynix半导体收入的30%左右,而DRAM芯片占到70%左右。





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