产品栅极电阻Vishay的VCNL4000和功率MOSFET荣获EN-Genius的年度产品奖_我的网站

产品栅极电阻Vishay的VCNL4000和功率MOSFET荣获EN-Genius的年度产品奖

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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其VCNL4000接近与环境光光学传感器及SiR880DP ThunderFET® 80 V功率MOSFET荣获EN-Genius Network (www.en-genius.net)颁发的年度产品奖,该网站在为电子设计工程师提供信息来源方面走在业界前列。

EN-Genius 2010年度产品奖的获奖产品是由EN-Genius主编Paul McGoldrick,以及编辑Lee Goldberg和Alex Mendelsohn从年内公开发布的产品中挑选出来的。

Vishay的VCNL4000被EN-Genius授予光检测领域的最佳研发奖。该器件完整集成了接近与环境光光学传感器,在业内首次将红外滤波器、光PIN二极管、环境光探测器、信号处理IC和16bit ADC集成进小尺寸的3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm无引线(LLP)表面贴装封装里。节省空间的VCNL4000支持易用的I2C总线通信接口,能够在各种消费和工业应用中大幅简化设计。

EN-Genius表示:“Vishay将光探测领域的丰富经验应用到这个产品上,对于移动设备的接近检测、显示/键盘对比度控制和调光应用,这款产品在性能和尺寸都堪称完美。产品定价非常合理,在性能表现上也极为出色。”

Vishay的ThunderFET SiR880DP被EN-Genius评为最佳高压功率MOSFET,该MOSFET在制造过程中采用了一种新的为更高电压MOSFET优化的低导通电阻技术。SiR880DP是首款可在4.5V栅极驱动下导通的80V功率MOSFET,采用热增强型PowerPAK® SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V下,典型导通电阻与栅极电荷乘积为161,该数值是衡量DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM,单位是nC-mΩ)。

EN-Genius评价:“N沟道SiR880DP的显著特点是兼有高电压等级和4.5V栅极驱动等级,且能提供超低的导通电阻。SiR880DP能在4.5V电压下导通,这样就能用5V PWM IC实现更高频率的转换器,而不需要目前所使用的6V器件。产品定价非常有吸引力,还能让以前的设计在DC-DC转换器中继续发挥余热。”

Vishay获奖产品的链接如下:

http://www.vishay.com/docs/83798 (VCNL4000)

http://www.vishay.com/docs/65702 (SiR880DP)

VCNL4000和SiR880DP现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期分别为十周和十六周。


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