电阻器件栅极Vishay新款N沟道功率MOSFET再刷新最低导通电阻记录_我的网站

电阻器件栅极Vishay新款N沟道功率MOSFET再刷新最低导通电阻记录

点击:
三星东芝工厂三星电子韩国新NAND厂预计9月投产处理器内存解决方案MIPS 科技和Virage Logic结成合作伙伴提供优化嵌入式内存IP华为印度中国年底前华为印度工厂将开始生产网络设备串口数据数据传输基于E-Link数据传输器的应用技术探讨蓝牙产品耳机印美日联手受理无线蓝牙耳机订单芯片微电子市场GPS中国芯和一个产业兴起电源静音王子爱你没商量-美基静音王子VISTA电源功耗性能技术Altera启动亚太区SOPC World 2008单相电表电能GUDE公司选择IDT宽动态范围电能计量芯片
2011年3月31日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布新款40V和60VN沟道Trench FET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK®SO-8封装,具有业内最低的导通电阻,以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积,即优值系数。

40V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻为1.7mΩ和2.2mΩ,在10V和4.5V下的FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的导通电阻比最接近的竞争MOSFET低4%,而4.5V下的FOM则低15.5%。

60V SiR662DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为2.7mΩ和3.5mΩ,在10V和4.5V下的FOM分别为172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。器件在10V和4.5V下的导通电阻分别比最接近的同档次MOSFET分别低3.5%和27%,在10V和4.5V下的FOM分别低23%和57%。在器件的整个工作范围内,低导通电阻和低FOM将能够减少开关损耗。

两款器件在制造过程中采用了一种新的硅技术,该技术使用了优化的沟槽密度和特殊的栅极结构。对于设计者来说,更低的导通电阻意味着更低的传导损耗,从而降低功耗,尤其是在重载的情况下。器件的低FOM能够降低高频和开关应用中的开关损耗,特别是在轻负载和待机模式下。器件的高频率使设计者能够增加其系统的功率密度,或是同时实现更低的功率损耗和更绿色的应用方案。

SiR662DP和SiR640DP适用于DC/DC和AC/DC转换器中的次级侧同步整流、DC/DC转换器中的初级侧开关、负载点模块、电机驱动、桥式逆变器和替代机械式继电器的应用。典型终端产品包括通信电源、工业自动化和专业游戏机、不间断电源(UPS)和消费类应用。

MOSFET的电压等级为4.5V,使许多设计者能够在其系统中使用现有的给数字逻辑电路供电的5V电源轨,无需再为10V电源轨腾出和寻找合适的空间。4.5V电压等级还能够大幅降低栅极驱动的损耗,同时还能够使用电压更低、成本更低的5VPWMIC。

两款芯片均经过了100%的Rg和UIS测试,符合IEC61249-2-21的无卤素规定,符合RoHS指令2002/95/EC。


字模显示屏点阵基于MCS51单片机的大屏幕LED显示屏高速控制方案工会富士通丰田日本电子巨头拒绝工会涨薪要求放大器数字音频ADI推出用于便携式应用的脉冲密度调制数字输入 D 类音频放大器分销商客户电子元器件如何增加本土分销商的利润空间富士通半导体产品富士通:MCU市场全线布局销量产品苹果公司专家预计2011年iPad销量将超2100万台毛利率盈余证券大摩重申加码欣兴 毛利率将同步成长示波器技术带宽安捷伦推出下一代高带宽实时示波器芯片组明年需求产业半导体景气随时可能发生逆转

0.33726000785828 s