电阻晶体管日立单结晶碳化硅底板静电感应晶体管问世_我的网站

电阻晶体管日立单结晶碳化硅底板静电感应晶体管问世

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(华强电子世界网讯)日立制作所日立研究所日前宣布,已经成功开发出采用单结晶碳化硅(SiC)底板的静电感应晶体管(SIT:Static Induction Transistor)。与过去采用硅底板相比,这种SIT的特定导通电阻在1/60以下,损耗非常低。因此能够减小设备体积、提高工作效率,有望应用于电动汽车和家电产品的电源等动力电子设备中。

静电感应晶体管
  在动力电子设备中使用晶体管是为了进行交直流转换和变压。但是由于晶体管会产生热量,因此必须使用散热装置,电流值方面存在一定的限制。对于降低晶体管电阻,目前硅已接近于理论极限值,难以降低损耗。因此,此次开发出了具有超过理论极限值特性的超低损耗SiC-SIT。SiC-SIT采用把电流传导路径设计为直线型的纯纵型结构,降低了导通电阻,并采用易于应用高精密技术的源极及栅级多层结构提高了耐压性。因此实现了2000V耐压、5A电流和15mΩ·cm2特定导通电阻等特性。据称今后还将继续降低特定导通电阻。

  如果配备SiC元件的动力电子设备得以普及,电力转换效率将会提高约3%。而且还可有助于节约能源、降低CO2排放量。(编辑 Kitty)
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