技术纳米技术芯片IBM联合AMD抢先发布22纳米制程技术_我的网站

技术纳米技术芯片IBM联合AMD抢先发布22纳米制程技术

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IBM联合联盟厂商AMD,意法半导体,Freescale,以及东芝,Nanoscale 科学工程大学发布首款基于22纳米技术制程生产的SRAM芯片,该芯片将会在其位于纽约州Albany的300毫米研发工厂进行测试和试产。

  22纳米技术领先于当前的芯片制程技术两倍,SRAM存储单元由传统的6个晶体管集成在0.1平方微米区域中,这一技术已经打破上一代的密度比例界限。

  而传统的SRAM芯片集成密度受到堆积基础尺寸影响,也就是一个单元的面积,不过IBM联盟研究机构优化了单位存储单元设计,以及电路设计,以增强其可靠性,借助新技术使得提升SRAM单元存储密度成为可能。

  该项技术使用高NA沉浸蚀刻技术印制样板,在300毫米晶圆芯片上实现全新的密度极限。

  SRAM的核心单元尺寸是半导体工业材料发展的核心技术,而IBM此次又走在了晶圆制程技术的前沿。

  英特尔已经在一年前发布32纳米技术,但还没有具体透露22纳米技术的相关资料,如果IBM领先的话,那么就意味着其技术联盟AMD也有机会采用更新的22纳米制程技术提升竞争力,而且对于AMD来说,其一直以弱势于英特尔的芯片制程技术受到竞争力不足的影响,到目前为止,AMD还在争取能为到今年底之前推出45纳米制程技术处理器而努力,而到那个时候,英特尔的45纳米处理器出货量将会超过一亿颗。
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