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闪存字节控制器TDK推出GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI

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TDK 公司开发出 GBDriver RA8 系列 NAND 闪存控制器 LSI,该产品计划于九月份开始销售。

GBDriver RA8 系列是用于 U.DMA6 的高速 NAND 控制器 IC,与 2 K 字节/页和 4 K 字节/页的 NAND 闪存兼容。该控制器支持单级单元 (SLC) 和多级单元 (MLC) NAND 闪存,实现了从 128 M 字节到 16 G 字节 (SLC) 和 256 M 字节到 32 G 字节 (MLC) 的高速闪存存储容量,因而该控制器适用的应用领域非常广泛。此外,该控制器具有 128 针 TQPF 封装方式和 121 针 VFBGA 封装方式。

该控制器实现了高速控制、采用 15 位纠错码 (ECC)、GBDriver 系列共有的自动恢复功能以及断电时的并行错误预防功能,这些设计提高了 NAND 闪存的数据可靠性。

此外,GBDriver RA8 系列采用了一种新式独创的静态耗损均衡算法 (static wear leveling algorithm),使每个存储块的重写次数更加平均,这样就最大程度地延长了 NAND 闪存的擦写寿命。闪存管理功能包括改进的设定每个存储块擦写次数的"智能功能"(SMART),并对量化评估、管理及 NAND 存储系统进行了简化。

TDK 将于 2008 年 10 月发售配备了新型 GBDriver RA8 控制器的工业小型闪存卡和固态驱动器 (SDD) 。

主要用途

主要用于民用、工业用嵌入式系统设备及 IT 设备,例如:数码相机、便携摄像机、数字电视、机顶盒 (STB)、多功能打印机、车载导航系统、便携式导航设备 (PND)、车载音响、电子收费 (ETC) 终端、销售点 (POS) 终端、 金融业务终端与 ATM 机、医疗设备、测量仪器、机械工具、工厂自动面板计算机及触摸屏系统。

主要特性

1. 主机接口:

GBDriver RA8 与 PIO0-6、Multiword DMA 0-4 及 Ultra DMA0-6 兼容,支持高达 50 MB/秒的读访问速度和 35 MB/秒的写访问速度(采用 MLC 时为 15 MB/秒)。(*实际速度取决于安装的闪存)

2. 支持的闪存:

GBDriver RA8 控制器支持所有厂商最新的 2 K 字节/页和 4 K 字节/页结构的 NAND 闪存及其最新产品。由于这些产品都与 SLC 和 MLC NAND 闪存兼容,该控制器实现了从 128 M 字节到 16 G 字节 (SLC) 和 256 M 字节到 32 G 字节 (MLC) 的存储容量。

3. 适用于所有存储块的静态耗损均衡功能:

新的静态耗损均衡算法使每个存储块的擦写次数更加平均。可将静态耗损均衡设为任意范围,超出静态耗损均衡的区域按动态耗损均衡管理。

4. 改进的断电耐受性:

在写数据时如发生断电,独创的算法可全面预防并行错误,不让错乱的数据写入。

5. 纠错和恢复:

闪存鉴别功能采用 8 位/段 ECC 或 15 位/段 ECC 来提供纠错能力,为适应未来的发展预留了空间。自动恢复功能包括在重复读取数据时自动纠正位错误(读干扰错误)。

6. 其他功能:

(a) 总簇数量设置功能

可调高或调低分配给数据区的逻辑块数量。例如,可通过减少数据区逻辑块的数量来提高可写入数据的次数。反之,如果应用不要求长寿命,可通过增加数据区逻辑块的数量来加大存储容量。

(b) 保护功能

采用 ATA 标准保护功能,使用户能够设置和取消密码以保护重要数据。

(c) "智能命令"支持

可通过"智能命令"设定所有内存块的擦写次数,便于确定闪存状态和相关管理。

7. 解决方案支持

TDK 自 2000 年开始自主研发和销售 GBDriver 系列 NAND 闪存控制器,依托其先进技术为日本和国外客户提供技术支持,包括派遣现场应用工程师和实施可靠性监控工作,嵌入式系统市场对此有强烈需求。

生产销售计划

-生产地点: 日本
-生产能力: 100,000 单元/月(预计)
-样品出货: 2008 年 9 月

详情见:http://www.tdkchina.com/
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